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測(cè)量貼片電容需綜合外觀、基礎(chǔ)工具（如萬(wàn)用表）和專(zhuān)用儀器（如ESR測(cè)試儀），結(jié)合多指標(biāo)驗(yàn)證其性能。若無(wú)法確定，替換法是最直接的驗(yàn)證手段。?
在選擇貼片電容時(shí)，需要根據(jù)具體電路的需求來(lái)確定合適的規(guī)格和尺寸。同時(shí)，還需要考慮電容的材質(zhì)、容量、電壓、精度等參數(shù)，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。
這里的 “額定功率” 有個(gè)重要前提 —— 需在 “額定環(huán)境條件” 下（標(biāo)準(zhǔn)大氣壓、70℃環(huán)境溫度、靜止空氣），電阻長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)安全工作的最大功耗，行業(yè)內(nèi)通常記為 P70（即 70℃時(shí)的額定功率）。
文章詳細(xì)闡述了π型濾波電路中貼片電感和電容的關(guān)鍵參數(shù)選擇與匹配方法，通過(guò)對(duì)比分析說(shuō)明了其在提升AI芯片模擬電源質(zhì)量方面的重要作用。
文章詳細(xì)闡述了貼片三極管在GPU核心供電系統(tǒng)中的快速開(kāi)關(guān)優(yōu)化方法，通過(guò)參數(shù)對(duì)比分析了其在提升開(kāi)關(guān)速度、降低損耗等方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
文章詳細(xì)闡述了MLCC陣列在NVSwitch芯片供電網(wǎng)絡(luò)中的阻抗優(yōu)化方案，通過(guò)參數(shù)對(duì)比分析了其在降低PDN阻抗、提升電源完整性等方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
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