1、專為 AI 眼鏡場景設計，采用高磁導率鐵氧體磁芯 + 對稱繞線工藝，共模抑制比高、差模損耗低、抗振動，適配 AI 眼鏡緊湊空間、高頻多模塊、長期穿戴的復雜使用場景，可靠性符合穿戴設備嚴苛標準； 2、0402 標準封裝（1.0×0.5mm），極致小巧化設計，完美適配 AI 眼鏡 PCB 高密度布局，不占用額外電路空間，兼容高精度自動化貼片工藝，滿足大批量生產需求； 3、標稱共模電感值 100nH，電感精度 ±10%（K 級），共模抑制比≥60dB@100MHz，參數一致性強，可高效抑制電路中的共模電磁干擾，過濾雜波信號，保障核心電路純凈運行； 4、寬溫工作范圍 - 55℃~+125℃，覆蓋 AI 眼鏡戶外低溫、室內常溫、充電發熱等全使用環境，磁芯性能穩定，電感值隨溫度變化小，適配穿戴設備復雜溫變工況； 5、直流電阻（DCR）≤1.2Ω/ 繞組，寄生電容小（≤0.8pF），高頻損耗低，適配 AI 眼鏡藍牙 / WIFI/5G 無線通信、傳感器信號傳輸的高頻需求，不影響信號傳輸效率，助力設備低功耗運行。
1、專為 AI 眼鏡場景設計，采用高磁導率納米晶磁芯 + 精密繞線工藝，Q 值高、磁損耗低、抗干擾強，適配 AI 眼鏡高頻通信、緊湊空間、長期穿戴等復雜場景，可靠性符合穿戴設備標準； 2、0402 標準封裝（1.0×0.5mm），體積小巧緊湊，完美適配 AI 眼鏡 PCB 高密度布局，兼容高精度自動化貼片工藝，滿足大批量生產需求，安裝便捷； 3、標稱電感值 10nH，電感精度 ±5%（J 級），品質因數（Q 值）≥60@1GHz，參數一致性強，可高效實現高頻信號匹配與儲能濾波，保障無線通信鏈路穩定；4、寬溫工作范圍 - 55℃~+125℃，覆蓋 AI 眼鏡戶外、室內全使用環境，溫度系數（TCR）±30ppm/℃，電感值隨溫度變化小，穩定適配穿戴設備復雜溫變工況； 5、直流電阻（DCR）≤0.8Ω，寄生電容小（≤0.5pF），適配 AI 眼鏡藍牙 / WIFI/5G 通信模塊的高頻工作需求，減少信號衰減與能量損耗，助力設備長續航。
1、專為 AI 眼鏡場景設計，采用高純度硅基介質 + 超薄封裝工藝，介電性能穩定、耐溫變、抗振動，適配 AI 眼鏡超緊湊空間、高頻工作、長期穿戴等復雜場景，可靠性符合穿戴設備標準； 2、01005 極限微型封裝（0.4×0.2mm），是 AI 眼鏡等穿戴設備的極致空間適配封裝，相比 0201 封裝節省 30% 以上 PCB 面積，兼容高精度自動化貼片工藝，滿足大批量生產需求； 3、標稱容量 47nF（473），容量精度 ±10%（K 級），等效串聯電阻（ESR）≤30mΩ@1MHz，參數一致性強，可高效實現高頻電源去耦，快速吸收電路雜波，保障芯片供電純凈； 4、寬溫工作范圍 - 55℃~+125℃，覆蓋 AI 眼鏡戶外低溫、室內常溫全使用環境，溫度系數（TCR）±100ppm/℃，容量隨溫度變化極小，穩定適配穿戴設備復雜溫變工況； 5、高頻損耗極低（DF≤1.5%@1MHz），寄生電感近乎忽略，適配 AI 眼鏡高頻主控芯片、藍牙 / WIFI 模塊的工作需求，減少信號衰減與電磁干擾，助力設備低功耗長續航。
1、專為 AI 眼鏡場景設計，采用 NP0/X7R 高頻陶瓷介質 + 超微型封裝工藝，介電性能穩定、抗振動、耐溫變，適配 AI 眼鏡緊湊空間、高頻工作、長期穿戴等復雜場景，可靠性強； 2、0201 標準封裝（0.6×0.3mm），是 AI 眼鏡等穿戴設備的核心適配封裝，極致節省 PCB 空間，兼容高精度自動化貼片工藝，滿足大批量生產需求； 3、標稱容量 100nF（104），容量精度 ±10%（K 級），等效串聯電阻（ESR）≤50mΩ@1MHz，參數一致性強，可高效實現電源去耦與高頻濾波，保障電路信號純凈； 4、寬溫工作范圍 - 55℃~+125℃，覆蓋 AI 眼鏡戶外、室內全使用環境，溫度系數（TCR）±150ppm/℃（X7R 介質），容量隨溫度變化小，穩定適配穿戴設備復雜溫變場景； 5、高頻損耗低（DF≤2.5%@1MHz），寄生電感小，適配 AI 眼鏡高頻主控芯片、無線通信模塊的工作需求，減少信號衰減與電磁干擾，助力設備低功耗運行。
1、專為儲能領域設計，采用石英晶體材質 + 密封抗干擾封裝，抗潮濕、耐振動、防電磁干擾，適配儲能集裝箱、儲能變流器、戶外儲能設備等復雜運行環境，時鐘輸出穩定； 2、3225 標準封裝（3.2×2.5mm），體積小巧，適配儲能控制板緊湊布局，兼容自動化貼片工藝，滿足大批量生產需求； 3、標稱頻率 32.768KHz，頻率精度 ±10ppm，溫漂系數 ±30ppm/℃，參數一致性強，可提供精準穩定的時鐘信號，保障儲能系統時序同步與控制邏輯精準； 4、寬溫工作范圍 - 40℃~+85℃，覆蓋儲能設備全工況溫度區間，在極端高低溫環境下仍能保持頻率穩定，避免時序紊亂 5、低功耗特性突出（典型功耗≤1μA），適配儲能設備低功耗運行需求，同時起振速度快（≤5ms），可快速響應系統啟動指令。
1、專為儲能領域設計，采用優質鐵氧體磁環磁芯 + 多層密繞工藝，磁導率穩定、耐溫變、抗老化，適配儲能集裝箱、儲能變流器、光伏逆變器等大功率復雜運行環境，能量轉換效率高； 2、磁環外徑 25mm× 內徑 12mm× 高度 10mm 標準尺寸，結構緊湊，適配儲能 PCB 板與功率模塊密集布局，安裝便捷，兼容自動化裝配工藝； 3、標稱電感值 22μH，電感精度 ±10%，飽和電流 25A（DC），參數一致性強，可穩定存儲與釋放能量，有效濾除儲能電路中的高頻雜波與電磁干擾； 4、寬溫工作范圍 - 40℃~+125℃，覆蓋儲能設備全工況溫度區間，磁芯損耗低（≤300mW/cm3@100kHz），在高溫負載狀態下仍能保持穩定電感特性； 5、直流電阻（DCR）低（≤50mΩ），電流損耗小，可承受儲能大功率回路的持續大電流，避免過熱損壞，提升電路整體運行效率。
1、專為儲能領域設計，采用高分子聚合物固態電解質 + 抗硫化封裝，耐紋波電流、抗老化、無漏液風險，適配儲能集裝箱、光伏逆變器、儲能變流器等復雜運行環境，使用壽命長達 10000 小時以上； 2、6*7mm 標準封裝，適配儲能 PCB 緊湊布局，兼容自動化裝配工藝，滿足大批量生產需求，安裝便捷； 3、標稱容量 100UF，額定電壓 35V，等效串聯電阻（ESR）≤15mΩ，參數一致性強，可高效濾除儲能電路高頻雜波，保障電源輸出純凈穩定； 4、寬溫工作范圍 - 40℃~+125℃，覆蓋儲能設備全工況溫度區間，在極端高低溫環境下容量衰減小，性能穩定可靠； 5、紋波電流承受能力強（≥2.5A@100kHz），可適應儲能高頻開關電路的工作模式，減少發熱損耗，避免電路因雜波干擾導致故障。
1、專為儲能領域設計，采用優質鐵硅鋁磁環磁芯 + 多層密繞工藝，磁導率穩定、耐溫變、抗老化，適配儲能集裝箱、儲能變流器、光伏逆變器等大功率運行環境，能量轉換效率高； 2、磁環外徑 20mm× 內徑 10mm× 高度 8mm 標準尺寸，結構緊湊，適配儲能 PCB 板與功率模塊密集布局，安裝便捷，兼容自動化裝配工藝； 3、標稱電感值 10μH，電感精度 ±10%，飽和電流 30A（DC），參數一致性強，可穩定存儲與釋放能量，有效濾除儲能電路中的高頻雜波； 4、寬溫工作范圍 - 40℃~+125℃，覆蓋儲能設備全工況溫度區間，磁芯損耗低（≤500mW/cm3@100kHz），在高溫負載狀態下仍能保持穩定電感特性； 5、直流電阻（DCR）低（≤80mΩ），電流損耗小，可承受儲能大功率回路的持續大電流，避免過熱損壞，提升電路整體效率。
1、專為儲能領域設計，采用陶瓷密封封裝 + 惰性氣體填充，抗潮濕、耐粉塵、防老化，適配儲能集裝箱、光伏逆變器、戶外儲能設備等復雜運行環境，防護性能穩定； 2、DO-214AC 標準封裝（SMA），適配儲能 PCB 緊湊布局，兼容自動化貼片工藝，滿足大批量生產需求，安裝便捷； 3、標稱直流擊穿電壓 90V，脈沖放電電流 10kA（8/20μs），絕緣電阻≥100MΩ，參數一致性強，可快速泄放雷擊、電路開關產生的瞬時浪涌能量，避免核心元器件擊穿損壞； 4、寬溫工作范圍 - 55℃~+125℃，覆蓋儲能設備全工況溫度區間，在極端高低溫環境下仍能保持穩定擊穿特性，防護性能不衰減； 5、無續流特性優異，放電后快速恢復高阻狀態，不影響儲能電路正常工作，同時寄生電容小（≤3pF），對高頻信號干擾小。
1、專為儲能領域設計，采用核心厚膜工藝 + 抗硫化涂層，抗潮濕、耐粉塵、防老化，適配儲能集裝箱、戶外儲能設備、高壓電源模塊等復雜運行環境，使用壽命長； 2、0805 標準封裝（2.0×1.25mm），適配儲能 PCB 緊湊布局，兼容自動化貼片工藝，滿足大批量生產需求； 3、標稱阻值 10KΩ，阻值精度 ±5%（J 級），參數一致性強，可保障儲能電路限流、分壓的穩定性，減少電路參數誤差； 4、寬溫工作范圍 - 55℃~+125℃，覆蓋儲能設備全工況溫度區間，阻值溫度系數（TCR）±200ppm/℃，阻值隨溫度變化小，極端環境下性能穩定； 5、單顆額定功率 1/8W，功率密度高，散熱性能優異，可承受儲能電路短期功率波動，避免過熱損壞，適配高頻工作模式。
1、專為儲能領域 MOSFET 驅動設計，采用厚膜精密工藝 + 低噪聲材質，抗干擾、耐溫變、防老化，適配儲能變流器（PCS）、大功率電源模塊、電池管理系統（BMS）等高頻驅動場景，工作穩定性強； 2、0603 標準封裝（1.6×0.8mm），體積小巧，適配儲能驅動板緊湊布局，兼容自動化貼片工藝，滿足大批量生產需求； 3、標稱阻值 100Ω，阻值精度 ±1%（F 級），參數一致性強，可精準限制 MOSFET 柵極充電電流，避免柵極過流損壞，保障開關動作平穩； 4、寬溫工作范圍 - 55℃~+125℃，覆蓋儲能設備全工況溫度區間，阻值溫度系數（TCR）±50ppm/℃，阻值隨溫度變化小，高頻驅動環境下性能穩定； 5、低寄生電感與電容，響應速度快，可匹配儲能高頻開關 MOSFET 的驅動需求，減少開關損耗，提升電路轉換效率。
1、專為儲能領域設計，采用厚膜高壓工藝 + 抗硫化涂層，抗潮濕、耐粉塵、防擊穿，適配儲能集裝箱、高壓電源模塊、戶外儲能設備等復雜高壓運行環境，使用壽命長； 2、1206 標準封裝（3.2×1.6mm），適配儲能 PCB 緊湊布局，兼容自動化貼片工藝，滿足大批量生產需求； 3、標稱阻值 220KΩ，阻值精度 ±5%（J 級），額定電壓 400V，參數一致性強，可穩定承載儲能高壓回路電壓，精準實現分壓與限流功能； 4、寬溫工作范圍 - 55℃~+125℃，覆蓋儲能設備全工況溫度區間，阻值溫度系數（TCR）±200ppm/℃，阻值隨溫度變化小，高壓環境下穩定性突出； 5、單顆額定功率 1/4W，功率密度高，散熱性能優異，可承受儲能高壓回路的功率損耗，避免過熱擊穿，保障電路安全。
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